[发明专利]一种发光二极管的外延结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510132505.8 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104701431B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;寻飞林;伍明跃;郑建森;李志明;杜伟华;邓和清;周启伦;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延结构及其制作方法，采用量子点作为发光层多量子阱结构（MQW）的量子阱层，利用量子点的量子限制效应，可有效提升电子和空穴的复合效率；同时，在具有纳米级凹坑的量子垒层上设置纳米级金属反射层，可使MQW发出的光立即被反射至外延结构正面；此外，纳米级金属反射层可形成表面等离子体（suface plasmon），进一步提升出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延结构，包括：在衬底上依次设置有第一导电类型半导体层、发光层多量子阱结构和第二导电类型半导体层，其特征在于：所述发光层多量子阱结构从下至上依次包括：具有纳米级凹坑的第一量子垒层、形成于凹坑表面的纳米级金属反射层、形成于金属反射层表面的量子点作为量子阱层，以及覆盖于所述第一量子垒层、金属反射层和量子点之上的第二量子垒层。
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