[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510133497.9 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106158579B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 陈竑霖;陈仕承;谢明山;王景祺;连万益;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及其制造方法。通过最初形成相互共面的第一掺杂区和第二掺杂区来形成垂直全环栅器件。在第一掺杂区和第二掺杂区上方形成沟道层，并且在沟道层上方形成第三掺杂区。形成第四掺杂区，以使第四掺杂区与第三掺杂区共面，以及图案化第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区和沟道层，以形成第一纳米线和第二纳米线，然后，第一纳米线和第二纳米线被用于形成垂直全环栅器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底中形成第一开口；在所述第一开口内外延生长第一半导体材料；通过所述半导体衬底平坦化所述第一半导体材料；在所述第一半导体材料中形成第二开口；在所述第二开口内外延生长第二半导体材料；通过所述第一半导体材料平坦化所述第二半导体材料；以及在所述第一半导体材料和所述第二半导体材料上方外延生长沟道层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
