[发明专利]一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法有效
| 申请号： | 201510133717.8 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104730869B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡亮;吴鹏;陈力钧 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，包括掩膜板之当层图案与前层图案的套刻精度为零时，第一交点和第二交点在第一方向上偏移量为零，当层图案与前层图案之夹角均为θ，其中，L1为当层图案之底角到前层图案之第一边界的距离，H1为第一交点到当层图案之底边的距离；在第二方向上发生偏移量为L2‑L1，且通过显微镜法获得第一交点与第二交点在第一方向上的偏移量为L3，则则当层图案与前层图案在第二方向上的偏移量为本发明满足高套刻精度之要求的工艺，提高检测精度，降低硅片的在线套刻精度不良率，减少返工频率，最终提高产品的器件性能和良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 显微镜 实现 纳米 级套刻 精度 方法 | ||
【主权项】：
一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，其特征在于，所述通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法，包括：执行步骤S1：提供具有当层图案的掩膜板，所述掩膜板之当层图案与已定义之前层图案的套刻精度为零时，所述当层图案与前层图案在第一方向上呈相对设置的第一边界和第二边界上分别具有第一交点和第二交点，且所述第一交点和所述第二交点在第一方向上偏移量为零，所述当层图案与所述前层图案之第一边界和第二边界的夹角均为θ，其中，L1为当层图案之底角的顶点到前层图案之具有第一交点的第一边界之间的距离，该底角与θ位于同一个直角三角形内，H1为前层图案之第一边界的第一交点到当层图案之底边的距离；执行步骤S2：当在第二方向上发生偏移时，偏移量为L2‑L1，L2是在第二方向上发生偏移后，当层图案之底角的顶点到前层图案之具有第一交点的第一边界的距离，且通过显微镜法获得所述前层图案之第一边界的第一交点与所述第二边界之第二交点在第一方向上的偏移量为L3，则执行步骤S3：当层图案和前层图案仅为第二方向上的偏移，则执行步骤S4：当层图案与前层图案在第二方向上的偏移量为
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