[发明专利]一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法

摘要

本发明提供一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法，该键合引线是由下列重量百分比的原料组成：银4%，钯0.03%，混合型稀土0.0002%，其余为铜，其制造方法包括：制备铜合金铸锭，连铸成铸态单晶母线，粗拔，热处理，表面镀银，精拔，热处理，表面清洗，本发明可以有效提升键合引线的抗氧化性能，有利于进一步缩小键合引线的线径，缩短焊接间距，更加适用于高密度，多引脚集成电路封装。

主权项

一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法，该键合引线是由下列重量百分比的原料组成：银4%，钯0.03%，混合型稀土0.0002%，其余为铜，之和等于100%，其制造方法如下：（1）制备铜合金铸锭：提取纯度大于99.9995%的高纯铜，然后加入钯、稀土，含量按照重量百分比分别为Pd0.03%—0.08%、Re0.0002%—0.0008%、其余为铜，钯的纯度大于99.999%，Re为混合型稀土，这些金属经机械混合后放入高纯石墨坩埚中，在惰性气体保护条件下使用感应电炉熔化，制备成铜合金铸锭；（2）连铸成铸态单晶母线：将制备好的铜合金铸锭加入有氮气保护的水平连铸金属单晶连铸室，应用中频感应加热至（1150—1220）℃，待完全熔化、精炼和除气后，将熔液注入连铸室中间的储液池保温，在维持（2—5）L/min净化氮气流量的连铸室中，完成对铜合金熔液的水平单晶连铸，得到Φ3mm、纵向和横向晶粒数均为1个的铜钯合金铸态单晶母线；（3）粗拔：采用常规拉丝设备和工艺、工装、将Φ3mm的铜钯合金铸态单晶母线经多道次过模拉拔工序，拉拔成Φ0.20mm左右的铜钯合金单晶丝；（4）热处理：将拉拔成Φ0.20mm左右的铜钯合金单晶丝置于退火炉中，在（420—460）℃温度下保温25min，保温期间通以氮气保护气体，然后随炉冷却；（5）表面镀银：应用常规电镀设备和工艺，对退火后的Φ0.20mm左右的铜钯合金单晶丝电镀纯银防氧化保护层，电镀用银的纯度要求大于99.99%；（6）精拔：将表面已镀银的镀银铜钯合金单晶键合引线经多道次过模拉拔工序，拉拔成不同的规格的（0.013mm—0.028mm）成品键合引线；（7）热处理：将镀银铜钯合金单晶键合引线置于退火炉中，在（400—420）℃温度下保温25min，保温期间通以氮气保护气体，然后随炉冷却；（8）表面清洗：将镀银铜钯合金单晶键合引线先用酸液清洗，然后经超声波清洗，再由高纯水清洗、烘干。