[发明专利]复合类黑体聚能结构的含能金属桥膜MEMS点火器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510134205.3 申请日: 2015-03-26
公开(公告)号: CN104692318A 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 丑修建;陈晓勇;熊继军;穆继亮;安坤;李惠琴 申请(专利权)人: 丑修建
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00;C06C9/00;C06B27/00
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地址: 030051*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了一种复合类黑体聚能结构的含能金属桥膜MEMS点火器及其制备方法,该点火器自下而上依次包括SiO2底层、腔层、防漏SiO2层、二次辐射层、绝缘SiO2层、下电极Au层、CuO层、Al层和上电极Au层。SiO2底层、腔层、防漏SiO2层和二次辐射层构成类黑体聚能结构;腔层中腔的结构为中空锥形以汇聚能量、减少器件整体热容和使二次辐射层悬浮起来。CuO层和Al层构成含能金属桥膜。本发明增加类黑体聚能结构后,减少了含能金属桥膜MEMS点火器的热耗散,提高了点火输出;也缩短了热积累时间,从而减少点火延迟时间,提高了点火瞬发性;另外微加工实现容易,利于其集成。
搜索关键词: 复合 黑体 结构 金属 mems 点火器 及其 制备 方法
【主权项】:
复合类黑体聚能结构的含能金属桥膜MEMS点火器,其特征在于,自下而上依次包括SiO2底层(1)、腔层(2)、防漏SiO2层(3)、二次辐射层(4)、绝缘SiO2层(5)、下电极Au层(6)、CuO层(7)、Al层(8)和上电极Au层(9),SiO2底层(1)、腔层(2)、防漏SiO2层(3)、二次辐射层(4)构成类黑体聚能结构;腔层(2)由半导体硅构成,其有中空锥形以汇聚能量;CuO层(7)、Al层(8)构成含能金属桥膜。
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