[发明专利]静电放电保护电路有效
| 申请号： | 201510134572.3 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN106158844B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 赵传珍 | 申请（专利权）人： | 立积电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人： | 刘民选;庞璐 |
| 地址： | 中国台湾台北市内湖区*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静电放电保护电路，包括：一输入端、一电阻器、一双极性接面晶体管，以及一二极管。该双极性接面晶体管具有一射极、一基极，以及一集极。该双极性接面晶体管之该射极耦接至该输入端。该双极性接面晶体管之该基极经由该电阻器耦接至该输入端。该二极管具有一第一极和一第二极。该二极管之该第一极即为该双极性接面晶体管之该集极。该二极管之该第二极耦接至一供应电位。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护电路，其特征在于，包括：一输入端；一电阻器；一双极性接面晶体管，具有一射极、一基极，以及一集极，其中，该双极性接面晶体管之该射极耦接至该输入端，而该双极性接面晶体管之该基极经由该电阻器耦接至该输入端；以及一二极管，具有一第一极和一第二极，其中该二极管之该第一极即为该双极性接面晶体管之该集极，而该二极管之该第二极耦接至一供应电位；其中该双极性接面晶体管之该射极由一第一第一型半导体所形成，该双极性接面晶体管之该基极由一第一第二型半导体所形成，该双极性接面晶体管之该集极由一第二第一型半导体所形成，该二极管由该第二第一型半导体和一第二第二型半导体所形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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