[发明专利]一种层状的二硫化钼薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510134872.1 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104746137B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王振中 | 申请（专利权）人： | 厦门烯成石墨烯科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/448;C23C16/52;C30B25/02;C30B25/16;C30B29/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361015 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种层状的二硫化钼薄膜的制备方法，采用分子束外延生长法，包括如下1)将衬底置于分子束外延设备的超真空反应腔中，调节超真空反应腔的真空度为10‑6～10‑7Pa，调节衬底温度为500℃～600℃，除气20min～30min；2)调节衬底温度为650℃～750℃，以氧化钼粉末和硫粉末为反应源，分别通过分子束外延设备的束源炉蒸发形成氧化钼分子束和硫分子束喷射到衬底表面，所述氧化钼分子束和硫分子束在衬底表面发生反应，生长形成层状的二硫化钼薄膜。本发明通过分子束外延成膜技术实现重复的层数可控生长结构规则、表面平整的层状二硫化钼薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层状 二硫化钼 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种层状的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，采用分子束外延生长法，包括如下：1)将衬底置于分子束外延设备的超真空反应腔中，调节超真空反应腔的真空度为10‑6～10‑7Pa，调节衬底温度为500℃～600℃，除气20min～30min；2)调节衬底温度为650℃～750℃，以氧化钼粉末和硫粉末为反应源，分别通过分子束外延设备的束源炉蒸发形成氧化钼分子束和硫分子束喷射到衬底表面，所述氧化钼分子束和硫分子束在衬底表面发生反应，生长形成层状的二硫化钼薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
