[发明专利]SiC基器件的栅介质层结构及栅介质层的形成方法在审
| 申请号： | 201510135975.X | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN106158601A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 姚金才;朱超群;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC基器件的栅介质层的形成方法，该形成方法包括以下步骤：提供SiC衬底；在所述SiC衬底之上形成氧化硅层；在所述氧化硅层之上形成金属层；对所述金属层进行热处理以形成金属氧化物层；以及在所述金属氧化层之上形成栅电极。本发明的SiC基器件的栅介质层的形成方法，可以提高SiC基器件的抗击穿能力和稳定性，提高电子迁移率，降低漏电流，提高制备效率。本发明还提出一种采用该方法形成的SiC基器件的栅介质层结构。 | ||
| 搜索关键词： | sic 器件 介质 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC基器件的栅介质层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供SiC衬底；在所述SiC衬底之上形成氧化硅层；在所述氧化硅层之上形成金属层；对所述金属层进行热处理以形成金属氧化物层；以及在所述金属氧化层之上形成栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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