[发明专利]大面积单晶多孔二氧化钛薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201510136276.7 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN106145692B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 封心建;杨劼;盛夏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C03C17/25 | 分类号： | C03C17/25 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积单晶多孔二氧化钛薄膜及其制备方法与应用。该制备方法包括：采用水热法在沉积有TiO2晶种层的导电基底表面生长高取向多孔二氧化钛薄膜；以及，对所述高取向多孔二氧化钛薄膜进行煅烧处理，获得单晶多孔二氧化钛薄膜。优选的，还可对所述单晶多孔二氧化钛薄膜进行表面处理和扩孔处理，获得孔隙尺寸不同的大面积单晶多孔二氧化钛薄膜。本发明制备方法操作简单，成本低廉，有较好可控性，且所获单晶多孔二氧化钛薄膜具有可控的薄膜厚度和孔隙尺寸，以及较高取向性和高比表面积，同时还具有较少的晶界和缺陷，提供了有效的电子传输通道，因此还具有高电子传输速率，适于在光电器件中广泛应用，例如可用于光电器件的光阳极。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 多孔 氧化 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种大面积单晶多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于包括：将沉积有TiO2晶种层的导电基底置于高压反应釜中，并加入含Ti反应物、浓酸和水，在180℃～200℃保温1～4h，之后冷却、清洗，获得高取向多孔二氧化钛薄膜；以及，将所述高取向多孔二氧化钛薄膜在空气中煅烧，煅烧温度450℃～550℃，煅烧时间30～60min，获得单晶多孔二氧化钛薄膜。
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