[发明专利]纳米线场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201510136675.3 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN106158633B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/161;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米线场效应晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有锗层和锗锡层交替堆叠的堆叠结构，堆叠结构包括纳米线区域、分别位于纳米线区域两侧的源极区域和漏极区域；在所述堆叠结构上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露出堆叠结构的纳米线区域的部分表面；进行干法刻蚀工艺，刻蚀去除纳米线区域的部分顶层锗锡层，形成顶层纳米线；进行微波刻蚀工艺，刻蚀去除顶层纳米线底部的一层锗层，形成凹槽，使得顶层纳米线悬空；循环进行各向异性的第一刻蚀工艺和各向同性的第二刻蚀工艺，依次刻蚀下层的锗锡层和锗层，形成相应的下层纳米线以及形成使得对应的下层纳米线悬空的凹槽。本发明的方法使得每一层的纳米线尺寸保持一致。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有锗层和锗锡层交替堆叠的堆叠结构，且每一层锗锡层位于相应层的锗层表面上方，所述堆叠结构包括纳米线区域、分别位于纳米线区域两侧的源极区域和漏极区域；在所述堆叠结构上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露出堆叠结构的纳米线区域的部分表面；进行各向异性的第一刻蚀工艺，刻蚀去除纳米线区域的部分顶层锗锡层，形成顶层纳米线；进行各向同性的第二刻蚀工艺，刻蚀去除顶层纳米线底部的一层锗层，形成凹槽，使得顶层纳米线悬空；循环进行各向异性的第一刻蚀工艺和各向同性的第二刻蚀工艺，依次循环刻蚀下层的锗锡层和锗层，形成相应的下层纳米线以及形成使得对应的下层纳米线悬空的凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
