[发明专利]MOCVD系统及其反应气体输送装置有效
申请号: | 201510136744.0 | 申请日: | 2015-03-26 |
公开(公告)号: | CN106011789B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 陈爱华;张伟;金小亮;吕青;徐春阳;陈凯辉 | 申请(专利权)人: | 中晟光电设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C30B25/14 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;包姝晴 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种MOCVD系统的反应气体输送装置,用于反应气体输送与均匀分布控制,能够将进行MOCVD工艺所需的一路反应气体,依次引入至喷淋头上沿圆周边缘布置的第一分布空间,在第一分布空间内侧布置的第二分布空间,以及平行分布在被第二分布空间所限定区域的多个气槽。本发明的装置,使得该路反应气体从腔盖圆周边缘的多个进气点进入,通过两次分配后沿圆弧方向均匀分布,之后通过每个气槽自身开设的多个喷气口或至少一个细缝,将气槽内的反应气体输送至反应腔内。本发明的装置易于加工,可靠性高,能够实现反应气体在外延片表面的均匀分布。 | ||
搜索关键词: | mocvd 系统 及其 反应 气体 输送 装置 | ||
【主权项】:
1.一种MOCVD系统的反应气体输送装置,其特征在于,所述装置包含位于反应腔顶部的喷淋头,该喷淋头进一步包含:第一分布空间,其设置在所述喷淋头的圆周边缘;通过与该第一分布空间相连通的分布设置于该喷淋头圆周边缘的多个进气口,将一路反应气体引入所述喷淋头;第二分布空间,其设置在所述第一分布空间的内侧;所述第二分布空间通过沿其侧壁分布设置的若干匀气孔与第一分布空间连通,将该路反应气体从第一分布空间引入至第二分布空间;多个气槽,平行地分布在喷淋头上被第二分布空间所限定的区域;且每个气槽通过其两端分别设置的通气孔与第二分布空间连通,将该路反应气体从第二分布空间引入至相应的气槽内;每个气槽还通过自身开设的多个喷气口或至少一个细缝,将该气槽内的该路反应气体输送至反应腔内;其中,所述喷淋头上设有多个独立的区域,对该路反应气体进入喷淋头的多个路径分别进行控制;这些区域按照平行于所述喷淋头的中心线的直线划分,以使每个区域的两端包含分别位于该区域第一侧和第二侧的区段,每个区段上开设有至少一个所述进气口以引入该路反应气体;每个区域同一侧的区段,包含属于第一分布空间的第一分布区段,和与该第一分布区段相应连通并且属于第二分布空间的第二分布区段;每个区域还包含所述气槽中的若干个气槽,每个气槽连通相应区域第一侧与第二侧的第二分布区段;各区域的第一侧和第二侧与该区域中各气槽的第一端和第二端各自相对应;各气槽第一端与第二端的连线与所述中心线平行或重合;该中心线是所述喷淋头上其中一个直径所在的直线;所述喷淋头的第二分布空间中,不同区域的第二分布区段之间通过设置隔断体相互隔断,防止该路反应气体在不同区域的第二分布区段之间流通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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