[发明专利]一种热色智能薄膜退火的监控系统和方法有效
申请号: | 201510136864.0 | 申请日: | 2015-03-26 |
公开(公告)号: | CN106158692B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 詹勇军;徐刚;肖秀娣;史继富 | 申请(专利权)人: | 中国科学院广州能源研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人: | 莫瑶江;孔德超 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种热色智能薄膜退火的监控系统,利用氧化钒热色智能膜退火前后,即退火之前的前躯体膜与彻底完成退火后能够实现相变功能的膜层相比,尤其在近红外以及中红外的透过率具有大幅度的变化特点,以及较为特定的透过率的变化情况进行膜层晶化状态的实时监控。本发明所提供的测试分析系统适用于氧化钒热色智能薄膜沉积在具有一定透光性的基片上,然后采用辐射式加热的快速退火,尤其适用于真空系统中的退火。 | ||
搜索关键词: | 一种 智能 薄膜 退火 监控 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种热色智能薄膜退火的监控系统,其特征是:包括退火实施装置、至少一个探测光源和至少一个与所述探测光源对应的探测光源接收装置;沿光束的前进方向在所述探测光源的末端设有准直防干扰管,所述准直防干扰管的末端形成有探测光源限光小孔,所述准直防干扰管内安装光束扩束组件;所述退火实施装置内设有涂覆有热色智能薄膜的基片和对基片进行加热并位于热色智能薄膜上方的退火热源;所述探测光源接收装置包括接收探头和计算机系统,所述接收探头与计算机系统数据连接;所述探测光源处于热色智能薄膜的上方或下方,所述探测光源处于热色智能薄膜的上方时,所述探测光源的波段与所述退火热源的波段错开或者所述接收探头前端设置有供探测光源能够通过的窄波段的滤光片;所述探测光源发出的光束照射在基片上,该光束穿透基片并被所述接收探头接收,然后所述接收探头将该光束穿透基片的透过率传输至计算机系统,所述计算机系统对该透过率进行数据处理,产生一用于控制退火实施装置的工作状态的控制信号,控制退火实施装置的工作状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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