[发明专利]用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510136878.2 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104831235B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;郑勇辉;成岩;刘卫丽;宋三年;朱敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料及其制备方法，所述Zr‑Sb‑Te系列相变材料的化学式为Zr100‑x‑ySbxTey，其中0<100‑x‑y<20，0.5≤x/y≤4。本发明的用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料具有较好的结晶速度及较高的沉积态稳定性，其在电脉冲作用下可以实现可逆相变，相变前后有电阻高低差异之分，差值较大，可以分辨出“0”、“1”，其中Set电压脉冲宽达到100ns，Reset电压脉冲宽度达到10ns，循环次数达到104，是一种较为理想的相变材料，可用于制作相变存储器单元。所述Zr‑Sb‑Te系列相变材料可采用多种方法制备，其中磁控溅射法比较灵活，可以方便制得组分可调、质量较高的Zr100‑x‑ySbxTey复合薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 zr sb te 系列 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料，其特征在于，所述Zr‑Sb‑Te系列相变材料的化学式为Zr100‑x‑ySbxTey，其中0<100‑x‑y<20，0.5≤x/y≤4。
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