[发明专利]一种对布线后晶圆进行合金化处理的方法

摘要

本发明提供一种对布线后晶圆进行合金化处理的方法，该方法包括：将布线后的晶圆置于一腔体内，向腔体内连续通入用于载气的氮气，并将腔体温度升温至第一预设温度；保持第一预设温度，向腔体内以预设流量通入一含有预设比例氢气的混合气体并持续第一预设时间；其中，预设流量大于流量门限值；混合气体通入结束后，向腔体内再次通入氮气直至晶圆所处的腔体内为纯氮气，在纯氮气气氛下冷却腔体。该方法通过对半导体制造技术中的合金菜单的优化，即将合金时通预设比例氢气的流量增大，有效地钝化界面附近Si(硅)悬挂键，大大降低界面态密度，修复栅氧的质量，从而改变NMOS电容的C‑V曲线特性，继而达到改善频率失效的目的，同时也就改善了产品良率。

主权项

1.一种对布线后晶圆进行合金化处理的方法，其特征在于，包括：将布线后的晶圆置于一腔体内，向所述腔体内连续通入用于载气的氮气，并将腔体温度升温至第一预设温度，包括：在所述腔体内通入流量为第一预设值的氮气，并将腔体温度升温至第一预设温度；将所述氮气的流量增大为第二预设值，继续向所述腔体内通入流量为第二预设值的氮气并持续第二预设时间；保持第一预设温度，向所述腔体内以预设流量通入一含有预设比例氢气的混合气体并持续第一预设时间；其中，所述预设流量大于流量门限值；混合气体通入结束后，向所述腔体内再次通入氮气直至所述晶圆所处的腔体内为纯氮气，在所述纯氮气气氛下冷却所述腔体。