[发明专利]半导体处理设备

摘要

本发明涉及半导体处理技术领域，特别涉及一种半导体处理设备。本发明的半导体处理设备通过特别的反应腔设计，使得所述反应腔既能用于执行原子层沉积工艺又能用于执行等离子体化学气相沉积工艺，还能执行衬底在位表面处理，从而可以减少半导体处理设备的数量，降低成本，减少设备的占用空间；同时，由于多个工艺可以在同一腔室中完成，无需附加的转运过程，从而可以减少待处理衬底被污染的发生。

主权项

1.一种半导体处理设备，其用于连续进行原子层沉积和等离子增强化学气相沉积；所述半导体处理设备包括反应腔和射频发生器；所述反应腔包括腔体和设置在所述腔体内的气体分配装置和衬底托盘；所述衬底托盘与所述气体分配装置相对设置并限定反应空间，反应气体从所述气体分配装置输出到所述反应空间；所述射频发生器用于在所述反应空间形成等离子体；其特征在于：所述半导体处理设备还具有升降装置，可以改变衬底托盘与所述气体分配装置出气面的相对距离；所述气体分配装置包括面向所述衬底托盘的出气面，所述出气面包括至少一个第一出气口和至少一个第二出气口；当所述半导体处理设备进行原子层沉积时，第一反应气体和第二反应气体通过所述气体分配装置交替地通入到所述反应空间中，从而对支撑在衬底托盘上的衬底进行原子层沉积处理；当所述半导体处理设备进行等离子增强化学气相沉积时，一种或一种以上反应气体同时通过所述气体分配装置进入所述反应空间，所述射频发生器在所述反应空间形成等离子体，从而对支撑在衬底托盘上的衬底进行等离子增强化学气相沉积处理。