[发明专利]利用具有绝缘层的薄膜谐振器探测物质的装置和方法有效
| 申请号： | 201510137979.1 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104764802B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | T.胡贝尔;M.尼尔施尔;D.皮策尔;M.施雷特 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02;G01N29/036 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;刘春元 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及利用具有绝缘层的薄膜谐振器探测物质的装置和方法。用于探测流体的至少一种物质的装置包括具有至少一个压电层、设置在压电层处的电极层、至少一个设置在压电层处的其他电极层的压电声学薄膜谐振器和至少一个用于积聚流体的物质的积聚面，其中压电层、电极层和积聚面被设计和彼此设置，使得通过电极层的电触发可以将激励交变场耦合输入到压电层中，薄膜谐振器由于耦合输入到压电层中的激励交变场可以以谐振频率fR被激励成谐振振荡并且谐振频率fR取决于在积聚面处所积聚的物质的量。该装置的特征在于，直接在电极层的至少一个的背离压电层的侧上设置至少一个用于电绝缘电极层的电绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 具有 绝缘 薄膜 谐振器 探测 物质 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.用于探测流体(2)的至少一种物质的装置(1)，包括压电声学薄膜谐振器(10)，具有‑至少一个压电层(11)，‑设置在压电层(11)处的电极层(12)，‑至少一个设置在压电层(11)处的其他电极层(13)，以及‑至少一个用于积聚流体(2)的物质的积聚面(3)，其中，‑压电层(11)、电极层(12、13)和积聚面(3)被设计和彼此设置，使得‑通过电极层(12、13)的电触发可以将激励交变场耦合输入到压电层(11)中，‑薄膜谐振器(10)由于耦合输入到压电层(11)中的激励交变场可以以谐振频率fR被激励成谐振振荡，以及‑谐振频率fR取决于在积聚面(3)处所积聚的物质的量，其特征在于，直接在电极层的至少一个的背离压电层的侧(121)上设置至少一个用于电绝缘电极层的电绝缘层(4)，并且绝缘层(4)被设计使得流体与薄膜谐振器彼此完全分离，其中所述装置(1)包括以CMOS技术集成在衬底(5)中的读出电路(8)、绝缘层(81)、声反射镜(5)和电接触(82)，所述绝缘层由二氧化硅组成，其中薄膜谐振器(10)布置在读出电路(8)、绝缘层(81)和声反射镜(5)上方，其中通过电接触(82)，读出电路(8)与薄膜谐振器(10)的电极层(12，13)连接用于电触发。
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