[发明专利]一种在太阳能电池背面进行选择性金属化的方法

摘要

本发明公开了一种在太阳能电池背面进行选择性金属化的方法，包括硅片1预处理；硅片1硼扩散处理；去除背面BSG、抛光；对硅片进行磷扩散处理；正、背面减反钝化膜沉积；正面金属化；背面金属接触区开膜；背面金属接触区域电镀金属A；背面非金属接触区域蒸镀金属B等步骤，它解决现有技术中在太阳能电池背面进行选择性金属化工艺复杂，生产成本高的技术问题。本发明具有流程简单，成本低等优点。

主权项

一种在太阳能电池背面进行选择性金属化的方法，包括如下步骤：Ⅰ.硅片(1)预处理：对硅片(1)两面实现表面减反制备，从而在硅片的正面和背面分别形成减反绒面（2）；Ⅱ.硅片(1)硼扩散处理：利用硼源对硅片(1)进行硼掺杂，从而在硅片的正面和背面分别形成P+ 层（3）；Ⅲ.去除背面步骤B中硼扩散形成的BSG，并实现抛光，从而在硅片的背面形成抛光面（4）；Ⅳ.对硅片进行磷扩散处理：利用磷源对硅片（1）进行扩散，在硅片背面形成N+层（5）； Ⅴ.正、背面减反钝化膜沉积：在硅片正面利用化学气相沉积的方式沉积表面钝化层和减反层（6），在背面利用化学气相沉积的方式沉积钝化层（7）；Ⅵ.正面金属化：在硅片（1）正面采用丝网印刷技术，进行金属化，烧结后形成正面金属电极（8）；Ⅶ.背面金属接触区开膜：采用激光技术打开硅片背面需要金属接触区域的钝化膜，形成开膜区（9）；Ⅷ.背面金属接触区域电镀金属A：采用电镀技术在硅片背面开膜区（9）内电镀一层金属A，形成金属A层（10）；Ⅸ.背面非金属接触区域蒸镀金属B：采用蒸镀技术在硅片背面非金属接触区蒸镀一层金属B，形成金属B层（11）。