[发明专利]用于形成电池元件的方法、电池元件和电池有效
| 申请号： | 201510138577.3 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104953155B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | M.伦克;R.魏斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M10/04 | 分类号： | H01M10/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蒋骏,徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于形成电池元件的方法、电池元件和电池。一种用于形成电池元件的方法包括蚀刻沟槽到衬底内以及所述沟槽的取决于晶体取向的蚀刻。此外该方法包括在所述沟槽内形成固态电池结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 电池 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成电池元件的方法，所述方法包括：蚀刻沟槽到衬底内；执行所述沟槽的取决于晶体取向的蚀刻，以调适由蚀刻沟槽到衬底内引起的沟槽的几何结构，使得能够制造沟槽的有角度的几何结构；以及在所述沟槽内形成固态电池结构。
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