[发明专利]非易失性存储器及其抹除方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器及其抹除方法，非易失性存储器具有存储单元。存储单元具有堆叠结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除介电层、源极区、漏极区、控制栅极以及栅间介电层。堆叠结构具有依次设置的删介电层、栅极、绝缘层。浮置栅极设置于堆叠结构的第一侧的侧壁。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除介电层设置于栅极与浮置栅极之间。抹除介电层包括第一部分与厚度小于或等于第一部分的第二部分，且浮置栅极的转角部邻近第二部分。源极区与漏极区分别设置于堆叠结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间，可以低操作电压操作，进而增加半导体元件的可靠度。

主权项

1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：第一存储单元，设置于具有深阱 区的基底上，所述第一存储单元，包括：堆叠结构，包括依次设置于所述基底上的栅介电层、栅极以及绝缘层；浮置栅极，设置于所述堆叠结构的第一侧的侧壁，且所述浮置栅极的顶部具有转角部；穿隧介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间；抹除介电层，设置于所述栅极与所述浮置栅极之间，所述抹除介电层包括第一部分以及位于所述第一部分上的第二部分，其中所述第二部分的厚度小于所述第一部分，且所述转角部邻近所述抹除介电层的所述第二部分，其中所述第一部分的材料包括氧化硅和氮化硅的双叠层结构或氧化硅、氮化硅和氧化硅的三叠层结构，所述第二部分的材料包括氧化硅；源极区与漏极区，分别设置于所述堆叠结构与所述浮置栅极两侧的所述基底中，其中所述源极区邻接所述浮置栅极，所述漏极区邻接所述堆叠结构的第二侧，所述第一侧与所述第二侧相对；控制栅极，设置于所述源极区与所述浮置栅极上；以及栅间介电层，设置于所述控制栅极与所述浮置栅极之间。