[发明专利]肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201510140768.3 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106158624A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;周桃飞;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/207;H01L29/20;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法，包括步骤：A、依次生长重掺杂层和轻掺杂层，形成GaN自支撑衬底，其中，重掺杂层和轻掺杂层的GaN掺杂浓度和厚度分别为1×1018～1×1019cm-3、100～1000μm和1×1014～1×1017cm-3、2～200μm；B、在轻掺杂层上和重掺杂层下分别生长肖特基电极层和欧姆电极层；C、以肖特基电极层为掩膜，通过离子注入方式在轻掺杂层中、围绕肖特基电极层边缘处形成电阻率为1×106～1×1010Ω·cm的高阻层。本发明还公开了制备得到的肖特基二极管。该制备方法过程中采用了有效的结终端保护技术，提高了器件耐压值。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、依次生长GaN掺杂浓度为1×1018cm‑3～1×1019cm‑3、厚度为100μm～1000μm的重掺杂层和GaN掺杂浓度为1×1014cm‑3～1×1017cm‑3、厚度为2μm～200μm的轻掺杂层，形成GaN自支撑衬底；B、在所述轻掺杂层上和所述重掺杂层下分别生长肖特基电极层和欧姆电极层；C、以所述肖特基电极层为掩膜，通过离子注入方式在所述轻掺杂层中、围绕所述肖特基电极层边缘处形成电阻率为1×106Ω.cm～1×1010Ω.cm的高阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
