[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510140843.6 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106158726B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 傅俊;王智东;王开立 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上依次层叠有氮化硅层和氧化硅层；在氧化硅层上形成第一图形化光阻层，并利用第一图形化光阻层进行第一次刻蚀；在第一图形化光阻层上形成第二图形化光阻层，并利用第二图形化光阻层进行第二次刻蚀；以及依次进行灰化和湿法清洗以去除第一图形化光阻层和第二图形化光阻层。在本发明提供的半导体器件的制造方法中，通过在第一次刻蚀后保留第一图形化光阻层，利用第一图形化光阻层保护其下面的氧化硅层，从而避免氧化硅层在第二次刻蚀中受损，不但简化了制造工艺，而且提高了器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上依次层叠有氮化硅层和氧化硅层；在所述氧化硅层上形成第一图形化光阻层，并利用所述第一图形化光阻层进行第一次刻蚀；在所述第一图形化光阻层上形成第二图形化光阻层，并利用所述第二图形化光阻层进行第二次刻蚀，所述第二次刻蚀用以去除部分氮化硅层；以及依次进行灰化和湿法清洗以去除所述第一图形化光阻层和第二图形化光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
