[发明专利]一种利用MRAM处理频写文件的方法及存储结构有效
| 申请号： | 201510141481.2 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN105589912B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F16/16 | 分类号： | G06F16/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用MRAM处理频写文件的方法，包括以下步骤：应用程序通过应用程序接口请求操作系统的文件系统处理频写文件；操作系统的文件系统在MRAM的频写文件区处理频写文件。频写文件是指频繁被修改的，通常每次修改只添加少量数据，不编辑旧内容的文件。本发明还提供一种利用MRAM处理频写文件的存储结构。本发明提供的利用MRAM处理频写文件的方法及存储结构，在MRAM的频写文件区处理频写文件，能够极大减少擦写NAND的次数，延长NAND的使用寿命；读写MRAM的速度，会比读写NAND快十到数百倍，有利于提高系统的运行速度；需要频繁写入的存储块留在了MRAM中，进一步提高系统的运行速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 mram 处理 文件 方法 存储 结构 | ||
【主权项】：
1.一种利用MRAM处理频写文件的方法，包括以下步骤：(1)应用程序通过应用程序接口请求操作系统的文件系统处理频写文件；(2)操作系统的文件系统在MRAM的频写文件区储存并处理所述频写文件，所述频写文件区用于存储频写文件的活动页；其中，对于频写文件，每次写操作只是添加一小部分数据，最后一页为频写文件的活动页，是写操作进行的位置，而其他页并不进行写操作，为非活动页。
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