[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201510142322.4 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752231B | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 刘威;姜春生 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/786;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可简化薄膜晶体管的工艺制程，从而节约成本。该薄膜晶体管的制备方法包括在基板上形成栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极和漏极的步骤；形成所述栅绝缘层和所述半导体有源层的步骤包括制备绝缘层薄膜；其中，所述绝缘层薄膜的材料包括金属氧化物绝缘材料；对所述绝缘层薄膜的预定区域进行离子注入，以使所述预定区域内的部分厚度的所述绝缘层薄膜的金属氧化物绝缘材料转化为金属氧化物半导体材料，形成所述半导体有源层，其余所述绝缘层薄膜形成所述栅绝缘层。用于薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板及显示装置的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，包括在基板上形成栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极和漏极的步骤；其特征在于，形成所述栅绝缘层和所述半导体有源层的步骤包括：制备绝缘层薄膜；其中，所述绝缘层薄膜的材料包括金属氧化物绝缘材料；对所述绝缘层薄膜的预定区域进行离子注入，以使所述预定区域内的所述绝缘层薄膜的部分厚度的金属氧化物绝缘材料转化为金属氧化物半导体材料，形成所述半导体有源层，其余所述绝缘层薄膜形成所述栅绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510142322.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
