[发明专利]基于阻容加固的静态随机访问存储器的存储单元在审
| 申请号： | 201510142765.3 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104851450A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王静秋;陈亮;刘丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院自动化研究所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京博维知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11486 | 代理人： | 方振昌 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于阻容加固的静态随机访问存储器的存储单元，包括锁存电路和位选择电路，锁存电路由两个PMOS管P1和P2、两个NMOS管N1和N2、第一阻容网络和第二阻容网络构成；位选择电路由NMOS管N5和N6组成；锁存电路形成4个存储点X1、X1B、X2、X2B，在其中一对互补数据存储点之间设置耦合电容C；相对于传统6T结构存储单元，添加了阻容网络和耦合电容，在不改变原读操作通路，在不增加明显复杂性情况下，以增加少量面积为代价，保证存储单元不发生单粒子翻转，保证数据正确。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 加固 静态 随机 访问 存储器 存储 单元 | ||
【主权项】：
基于阻容加固的静态随机访问存储器的存储单元，包括锁存电路和位选择电路，其特征在于，锁存电路由两个PMOS管P1和P2、两个NMOS管N1和N2、第一阻容网络和第二阻容网络构成；位选择电路由NMOS管N5和N6组成；锁存电路形成4个存储点X1、X1B、X2、X2B，在其中一对互补数据存储点之间设置耦合电容C；P1的漏极连接X1，其源极连接电源，其栅极连接X1B；第一阻容网络的输入端和输出端分别与X1和X2连接；N1的漏极连接X2，其源极接地，其栅极连接X2B；P2的漏极连接X1B，其源极连接电源，其栅极连接X1；第二阻容网络的输入端和输出端分别与X1B和X2B连接；N2的漏极连接X2B，其源极接地，其栅极接X2；N5的漏极接X2或X1，N6漏极对应接X2B或X1B；N5的源极接位线BL；N6的源极接互补位线BLB；N5和N6的栅极连接在一起，接在字线WL上。
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