[发明专利]一种薄膜热敏电阻及其制备方法及其电阻值的调节方法有效
| 申请号： | 201510143366.9 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN104715874B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 何林;杨雷;吴木营 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04;H01C17/075 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司44215 | 代理人： | 王雪镅 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜热敏电阻技术领域，具体涉及一种薄膜热敏电阻及其制备方法及其电阻值的调节方法。一种薄膜热敏电阻，其特征在于由下而上依次包括基板、底层Mn‑Co‑Ni‑Fe‑O四元过渡金属氧化物膜层、中间层Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O四元过渡金属氧化物膜层、顶层Mn‑Co‑Ni‑O三元过渡金属氧化物膜层和电极；该负温度系数薄膜热敏电阻呈现Mn‑Co‑Ni‑O/Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O/Mn‑Co‑Ni‑Fe‑O三层结构。本发明制备的薄膜热敏电阻的电阻值在0.5~3.1 MΩ左右可调，老化系数小于4.4%，从而使得该薄膜热敏电阻具有电阻值较低、老化系数低且使用寿命长的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 热敏电阻 及其 制备 方法 阻值 调节 | ||
【主权项】：
一种薄膜热敏电阻，其特征在于：由下而上依次包括基板、底层Mn‑Co‑Ni‑Fe‑O四元过渡金属氧化物膜层、中间层Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O四元过渡金属氧化物膜层、顶层Mn‑Co‑Ni‑O三元过渡金属氧化物膜层和电极；所述底层Mn‑Co‑Ni‑Fe‑O四元过渡金属氧化物膜层、中间层Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O四元过渡金属氧化物膜层、顶层Mn‑Co‑Ni‑O三元过渡金属氧化物膜层为三层结构。
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