[发明专利]提升图案精密度的方法有效
申请号: | 201510143553.7 | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN106154736B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 林品宏;林嘉祺;赖俊丞 | 申请(专利权)人: | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种提升图案精密度的方法,包括下列步骤。提供目标图案。将目标图案分解成多个分割图案。分别由多个分割图案产生多个光致抗蚀剂强度分布。处理多个分割图案的多个光致抗蚀剂强度分布,得到光致抗蚀剂强度分布图像。根据光致抗蚀剂强度分布图像定义高感光区域以及强度不足区域。修正所述光致抗蚀剂强度分布图像的强度不足区域。根据修正后的光致抗蚀剂强度分布图像得到结果图案。 | ||
搜索关键词: | 提升 图案 精密度 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提升图案精密度的方法,包括:/n提供目标图案;/n将所述目标图案分解成多个分割图案;/n分别由所述多个分割图案产生多个光致抗蚀剂强度分布;/n处理所述多个分割图案的所述多个光致抗蚀剂强度分布,得到一光致抗蚀剂强度分布图像;/n根据所述光致抗蚀剂强度分布图像定义高感光区域以及强度不足区域;/n修正所述光致抗蚀剂强度分布图像的所述强度不足区域;以及/n根据修正后的光致抗蚀剂强度分布图像得到结果图案,/n其中,根据所述光致抗蚀剂强度分布图像定义高感光区域以及强度不足区域的步骤包括:将所述光致抗蚀剂强度分布图像与所述目标图案的光致抗蚀剂强度分布图像相互比较。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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