[发明专利]一种铜酸钆薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及铜酸钆薄膜的制备方法，包括以下步骤(1)将钛酸锶基板放入化学气相沉积反应腔体内的基板座上；(2)称取钆源和铜源固体原料，将两种原料分别置于相应的原料罐中；(3)将基板座的温度升至1040～1120℃，将原料罐温度分别升至200～230℃和180～200℃；(4)将含有钆源和铜源的载流气以及氧化气通入反应腔体内反应；(5)停止通入气体，关闭加热系统，冷却至室温，即得到沉积在钛酸锶基板上的铜酸钆薄膜。与现有技术相比，本发明的有益效果是成膜速度快、反应时间短、生产效率高且组织结构可控。(001)取向的Gd2CuO4薄膜相比于无取向的Gd2CuO4薄膜具有特殊的晶体结构和物理性质。

主权项

一种铜酸钆薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将钛酸锶基板放入化学气相沉积反应腔体内的基板座上，并将腔体内的压强抽至30Pa以下；(2)称取钆源和铜源固体原料，将两种原料分别置于相应的原料罐中；所述的钆源和铜源分别为三(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)钆和双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)铜；(3)将基板座的温度升至1040～1120℃，将钆源和铜源的原料罐温度分别升至200～230℃和180～200℃；(4)将含有钆源和铜源的载流气以及氧化气通入反应腔体内，调节腔体内的压强至300～500Pa，反应时间为7～10min；(5)停止通入气体，关闭加热系统，冷却至室温，即得到沉积在钛酸锶基板上的铜酸钆薄膜。