[发明专利]一种高效低成本N型背结前接触单晶电池的制作方法

摘要

本发明提供了一种高效低成本N型背结前接触单晶电池的制作方法，包括如下步骤:步骤1:在N型单晶硅片的正面制绒，使用磷扩散，刻蚀清洗，镀减反膜；步骤2:在N型单晶硅片的背面印刷纳米硅硼浆并烘干；步骤3:在N型单晶硅片的背面对纳米硅硼浆进行扩散掺杂；步骤4:在N型单晶硅片的背面印刷背面电极银浆并烘干；步骤5:在N型单晶硅片的背面印刷背面铝浆并烘干；步骤6:在N型单晶硅片的正面印刷主副栅线电极银浆并烧结。本发明采用了在N型单晶硅片的背面印刷纳米硅硼浆并进行激光掺杂的技术手段，有效解决了背结缺陷，构成完善的背结结构，提高了转换效率，具有成本投入低、电池效率高、电池结构稳定、组件模块焊接性能好的优点。

主权项

一种高效低成本N型背结前接触单晶电池的制作方法，其特征在于：包括如下6个步骤：步骤1：在N型单晶硅片的正面制绒，使用磷扩散，刻蚀清洗，镀减反膜；步骤2：在N型单晶硅片的背面印刷纳米硅硼浆并烘干；步骤3：在N型单晶硅片的背面对纳米硅硼浆进行扩散掺杂；步骤4：在N型单晶硅片的背面印刷背面电极银浆并烘干；步骤5：在N型单晶硅片的背面印刷背面铝浆并烘干；步骤6：在N型单晶硅片的正面印刷主副栅线电极银浆并烧结。