[发明专利]具有栅极氧化物层的FINFET器件有效
| 申请号： | 201510144290.1 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105280706B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李东颖;黄玉莲;张毅敏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构。根据一些实施例，该半导体结构包括衬底；一个或多个鳍，每一个都包括形成在衬底上方的第一半导体层；氧化物层，形成为包围一个或多个鳍的每一个的上部；以及栅极堆叠件，包括形成为包围在氧化物层上方的高K(HK)介电层和金属栅(MG)电极。第一半导体层可包括硅锗(SiGex)，并且氧化物层可包括硅锗氧化物(SiGexOy)。本发明还提供了一种具有栅极氧化物层的FINFET器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 氧化物 finfet 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述器件包括：衬底；一个或多个鳍，每一个都包括形成在所述衬底上方的第一半导体层；氧化物层，形成为包围所述一个或多个鳍中每一个的上部；以及栅极堆叠件，包括形成为包围在所述氧化物上方的高K(HK)介电层和金属栅(MG)电极，其中，所述第一半导体层包括硅锗SiGex，并且其中，所述氧化物层包括硅锗氧化物SiGexOy。
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