[发明专利]一种包括参考单元的RRAM子阵列结构在审
| 申请号： | 201510144347.8 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN104733047A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 韩小炜 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李宏德 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种包括参考单元的RRAM子阵列结构，包括主阵列和参考阵列，主阵列包括n行m列存储单元；参考阵列包括n行2列存储单元；主阵列和参考阵列中的存储单元通过按行设置的字线依次连接；主阵列中任意1列包括主阵列位线BL和主阵列源线SL，以及依次并联在主阵列位线BL和主阵列源线SL之间的n个存储单元；参考阵列中任意1列均能够作为参考单元；每列参考单元共包括n个存储单元，由两级n/2个存储单元并联结构串联组成；每列参考单元包括第一位线RBLH，第二位线RBLL和一条源线CSL，两列参考单元共享源线CSL；第一位线和第二位线各连接n/2个存储单元，两级n/2个存储单元并联结构由CSL串联。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包括 参考 单元 rram 阵列 结构 | ||
【主权项】：
1.一种包括参考单元的RRAM子存储阵列结构，其特征在于，包括主阵列和参考阵列，主阵列包括n行m列存储单元；参考阵列包括n行2列存储单元，其中，n为正偶数，m为正整数；主阵列和参考阵列中的存储单元通过按行设置的字线依次连接；主阵列中任意1列包括主阵列位线BL和主阵列源线SL，以及依次并联在主阵列位线BL和主阵列源线SL之间的n个存储单元；参考阵列中任意1列均能够作为参考单元；每列参考单元共包括n个存储单元，由两级n/2个存储单元并联结构串联组成；每列参考单元包括第一位线RBLH，第二位线RBLL和一条源线CSL，且两列参考单元共享源线CSL；第一位线RBLH和第二位线RBLL各连接n/2个存储单元，两级n/2个存储单元并联结构通过CSL串联；读取时第一位线RBLH接读取电压Vread，第二位线RBLL接地线GND。
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