[发明专利]一种扫描电镜样品的保存方法有效
申请号: | 201510144597.1 | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN104766811B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 陈强 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/02 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及半导体工艺技术领域,本发明提供了一种扫描电镜样品的保存方法,首先提供样品,并将样品放入SEM设备中进行失效分析,接着在分析后的样品表面涂覆用于隔绝空气的保护层,然后将样品放置在大气环境中进行保存,当需要对样品再次进行失效分析时,去除样品表面的保护层,最后将样品放入SEM设备中进行失效分析。本发明提供了一种可靠易行,成本较低的扫描电镜样品的保存方法,解决了现有技术在失效分析过程中,SEM样品表面容易受损或氧化的问题,本领域技术人员采用该方法可提高失效分析的成功率,并降低失效分析的成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 扫描电镜 样品 保存 方法 | ||
【主权项】:
1.一种扫描电镜样品的保存方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、提供样品,将样品去层次至金属铜露出后,将样品放入SEM设备中进行失效分析;其中,失效分析完后,所述样品需进一步去层次,或将样品放置一段时间再进行下一次分析;步骤S2、在失效分析后的所述样品表面涂覆用于隔绝空气的保护层;其中,所述保护层为热熔胶层;步骤S3、将所述样品放置在大气环境中进行保存;步骤S4、在所述样品需进一步去层次,或将样品放置一段时间再进行下一次分析前,去除样品表面的保护层;其中,采用丙酮去除样品表面的热熔胶层或采用湿法刻蚀工艺去除样品表面的保护层;步骤S5、将所述样品放入SEM设备中进行下一次的失效分析。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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