[发明专利]TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置有效
| 申请号： | 201510144865.X | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN104950023B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 竹知和重;芳贺浩史;岩松新之辅;小林诚也;阿部泰;矢作彻 | 申请（专利权）人： | NLT科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置。使用TFT或MOSFET的离子传感器的测量灵敏度低，因此难以检测极微量的感测对象物质。TFT离子传感器包括栅电极(硅基板)和参照电极，其中设定栅极绝缘膜(热氧化膜)的静电电容比离子敏感绝缘膜的静电电容大。因此，可根据栅极‑源极电压对源极‑漏极电流特性的阈值电压漂移检测感测对象物质中的离子、激素等的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | tft 离子 传感器 使用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管TFT离子传感器，包括：半导体活性层，源电极和漏电极连接至所述半导体活性层；栅极绝缘膜和栅电极，所述栅极绝缘膜和所述栅电极设置在所述半导体活性层的一个表面上；离子敏感绝缘膜，所述离子敏感绝缘膜设置在所述半导体活性层的另一表面上；以及参照电极，所述参照电极设置在与所述离子敏感绝缘膜在空间上分离的位置上，其中：所述离子敏感绝缘膜的每单位面积的静电电容为所述栅极绝缘膜的每单位面积的静电电容的n倍，其中，n>1，并且所述TFT离子传感器还设置有电压检测单元，所述电压检测单元用于读取所述源电极和所述栅电极之间的电位差，所述源电极和所述栅电极之间的电位差为所述离子敏感绝缘膜的每单位面积的静电电容与所述栅极绝缘膜的每单位面积的静电电容相等的情况下的所述电位差的n倍。
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