[发明专利]调节平面VDMOS开启电压的方法

摘要

本发明实施例提供一种调节平面VDMOS开启电压的方法。该方法包括：在N型外延层的表面上依次生长栅氧化层和多晶硅层；对多晶硅层中的预设区域进行刻蚀形成多晶硅栅极；沿着预设区域向N型外延层注入P型离子形成体区；通过光刻处理在多晶硅栅极的两端形成窗口；沿着窗口依次向体区注入第一原子和第二原子；在栅氧化层上生长介质层，介质层覆盖多晶硅栅极；对介质层做回流处理。本发明实施例依次向体区注入第一原子和第二原子，通过对介质层的回流处理，使第一原子和第二原子分别横向扩展，以调节平面VDMOS的沟道浓度和沟道长度，进而调节开启电压，且沟道浓度和沟道长度的改变不会影响平面VDMOS器件的其他电信参数，提高了生成效率。

主权项

1.一种调节平面VDMOS开启电压的方法，其特征在于，包括：在N型外延层的表面上依次生长栅氧化层和多晶硅层；对所述多晶硅层中的预设区域进行刻蚀，以露出所述栅氧化层，剩余的多晶硅层形成多晶硅栅极；沿着所述预设区域通过所述栅氧化层向所述N型外延层注入P型离子形成体区；在所述栅氧化层上表面铺设光刻胶，通过光刻处理在所述多晶硅栅极的两端形成窗口；沿着所述窗口通过所述栅氧化层依次向所述体区注入第一原子和第二原子；在所述栅氧化层上生长介质层，所述介质层覆盖所述多晶硅栅极；对所述介质层做回流处理，以使所述第一原子和所述第二原子分别横向扩展，且所述第一原子横向扩展的幅度大于所述第二原子横向扩展的幅度，调节平面VDMOS的沟道浓度和沟道长度，以调节所述平面VDMOS的开启电压；所述第一原子为磷原子，所述磷原子的剂量为1E13～9E13个/cm²，所述磷原子的能量为30KeV～80KeV；所述磷原子的剂量为5E13个/cm²，所述磷原子的能量为50KeV；所述第二原子为砷原子，所述砷原子的剂量为1E15～9E15个/cm²，所述砷原子的能量为100KeV～140KeV；所述砷原子的剂量为5E15个/cm²，所述砷原子的能量为120KeV。