[发明专利]低速开关应用的MOSFET开关电路

摘要

本发明涉及的一种开关电路包括导电类型相同的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，并联在第一端和第二端之间。第一和第二MOS晶体管的栅极端分别耦合到控制端，接收控制信号，接通或断开开关电路，其控制信号以缓慢的切换速率，从第一电压电平切换至第二电压电平。第一MOS晶体管具有第一阈值电压，第二MOS晶体管具有第二阈值电压，第一阈值电压小于第二阈值电压。

主权项

1.一种用于制备开关电路的方法，其特征在于，包括：制备一个半导体层；在半导体层中制备沟槽晶体管器件的阵列，沟槽晶体管器件由沟槽栅极结构限定；在第一组沟槽晶体管器件中，制备第一导电类型的本体区，本体区的掺杂浓度与第一阈值电压有关；在第二组沟槽晶体管器件中，制备第一导电类型的本体区，本体区的掺杂浓度与第二阈值电压有关，第一阈值电压小于第二阈值电压；在沟槽晶体管器件的阵列中制备源极区；在第一组沟槽晶体管器件中，制备具有第一阈值电压的第一MOS晶体管；在第二组沟槽晶体管器件中，制备具有第二阈值电压的第二MOS晶体管；将第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的第一电流处理端电连接起来；将第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的第二电流处理端电连接起来；并且为第一和第二MOS晶体管的栅极端提供控制信号；第一MOS晶体管具有第一晶体管面积，第二MOS晶体管具有第二晶体管面积，第一晶体管面积小于第二晶体管面积。