[发明专利]包括声再分布层的声谐振器

摘要

本发明涉及一种包括声再分布层的声谐振器。一种声谐振器结构包括：压电层，其具有第一表面及第二表面；第一电极，其邻近于所述第一表面安置；及第二电极，其邻近于所述第二表面安置。所述第一电极包括：第一导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第一声阻抗；及第二导电层，其安置于所述第一导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第一声阻抗的第二声阻抗。所述第二电极可安置于衬底与所述压电层之间，且所述第二电极可包括：第三导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第三声阻抗；及第四导电层，其安置于所述第三导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第三声阻抗的第四声阻抗。 1

主权项

1.一种声谐振器结构，其包括：

压电层，其具有第一表面及第二表面；

第一电极，其邻近于所述第一表面安置，所述第一电极包括：第一导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第一声阻抗；及第二导电层，其安置于所述第一导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第一声阻抗的第二声阻抗；以及

第二电极，其邻近于所述第二表面安置，所述第二电极包括：第三导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第三声阻抗；及第四导电层，其安置于所述第三导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第三声阻抗的第四声阻抗；

其中所述第一导电层及所述第三导电层由第一材料形成，且所述第二导电层及所述第四导电层由第二材料形成。

2.根据权利要求1所述的声谐振器结构，其进一步包括衬底，其中所述第一电极安置于所述衬底与所述压电层之间。

3.根据权利要求1所述的声谐振器结构，其进一步包括衬底，其中所述第二电极安置于所述衬底与所述压电层之间。

4.根据权利要求1所述的声谐振器结构，其中所述第一电极、所述压电层及所述第二电极形成膜体声谐振器FBAR的声堆叠。

5.根据权利要求1所述的声谐振器结构，其中所述第一材料为钼，且所述第二材料为钨。

6.根据权利要求1所述的声谐振器结构，其中所述第一导电层由钼形成，且所述第二导电层由钨形成。

7.根据权利要求1所述的声谐振器结构，其中所述第一导电层由铌、钼或铌与钼的合金形成，且所述第二导电层由钨或铱形成。

8.根据权利要求7所述的声谐振器结构，其中所述第二电极由钨、铱或钼形成。

9.根据权利要求8所述的声谐振器结构，其进一步包括衬底，其中所述第一电极安置于所述衬底与所述压电层之间。

10.根据权利要求1所述的声谐振器结构，其中所述压电层包括具有约1％到10％的钪浓度的氮化铝钪。

11.根据权利要求1所述的声谐振器结构，其进一步包括：钝化层，其安置于所述第一电极及所述第二电极中的一者的与所述压电层相对的侧上；及籽晶层，其安置于所述第一电极及所述第二电极中的另一者的与所述压电层相对的侧上。

12.根据权利要求11所述的声谐振器结构，其中所述钝化层及所述籽晶层各自包括氮化铝、碳化硅、氮化硅、氧化铝及掺硼氧化硅中的一者。

13.根据权利要求1所述的声谐振器结构，其中所述第一电极进一步包括第五导电层，所述第五导电层安置于所述第二导电层的与所述第一导电层相对的侧上。

14.根据权利要求13所述的声谐振器结构，其中所述第五导电层具有大于所述第二声阻抗的第五声阻抗。

15.根据权利要求13所述的声谐振器结构，其中所述第一导电层包括铌或铌与钼的合金，所述第二导电层包括钼，且所述第五导电层包括钨。

16.根据权利要求13所述的声谐振器结构，其中所述第五导电层具有低于所述第二声阻抗的第五声阻抗。

17.根据权利要求13所述的声谐振器结构，其中所述第一导电层包括铌或铌与钼的合金，所述第二导电层包括钨，且所述第五导电层包括钼。

18.根据权利要求1所述的声谐振器结构，其中所述压电层包括Al_1‑xSc_xN。

19.一种声谐振器结构，其包括：

压电层，其具有第一表面及第二表面；

第一电极，其邻近于所述第一表面安置；

第二电极，其邻近于所述第二表面安置；

钝化层，其安置于所述第一电极及所述第二电极中的一者的与所述压电层相对的侧上；及

籽晶层，其安置于所述第一电极及所述第二电极中的另一者的与所述压电层相对的侧上；

其中所述第一电极包括：第一导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第一声阻抗；及第二导电层，其安置于所述第一导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第一声阻抗的第二声阻抗。

20.根据权利要求19所述的声谐振器结构，其中所述钝化层及所述籽晶层各自包括氮化铝、碳化硅、氮化硅、氧化铝及掺硼氧化硅中的一者。

21.根据权利要求19所述的声谐振器结构，其进一步包括衬底，其中所述第一电极安置于所述衬底与所述压电层之间。

22.根据权利要求19所述的声谐振器结构，其进一步包括衬底，其中所述第二电极安置于所述衬底与所述压电层之间。

23.根据权利要求19所述的声谐振器结构，其中所述第一电极、所述压电层及所述第二电极形成膜体声谐振器FBAR的声堆叠。

24.根据权利要求19所述的声谐振器结构，其中所述第一导电层由钼形成，且所述第二导电层由钨形成。

25.根据权利要求19所述的声谐振器结构，其中所述第一导电层由铌、钼或铌与钼的合金形成，且所述第二导电层由钨或铱形成。

26.根据权利要求25所述的声谐振器结构，其中第二电极包括：第三导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第三声阻抗；及第四导电层，其安置于所述第三导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第三声阻抗的第四声阻抗。

27.根据权利要求25所述的声谐振器结构，其中所述第二电极由钨、铱或钼形成。

28.根据权利要求27所述的声谐振器结构，其进一步包括衬底，其中所述第一电极安置于所述衬底与所述压电层之间。

29.根据权利要求19所述的声谐振器结构，其中所述压电层包括具有约1％到10％的钪浓度的氮化铝钪。

30.根据权利要求19所述的声谐振器结构，其中所述第一电极进一步包括第三导电层，所述第三导电层安置于所述第二导电层的与所述第一导电层相对的侧上。

31.根据权利要求30所述的声谐振器结构，其中所述第三导电层具有大于所述第二声阻抗的第三声阻抗。

32.根据权利要求30所述的声谐振器结构，其中所述第一导电层包括铌或铌与钼的合金，所述第二导电层包括钼，且所述第三导电层包括钨。

33.根据权利要求30所述的声谐振器结构，其中所述第三导电层具有低于所述第二声阻抗的第三声阻抗。

34.根据权利要求30所述的声谐振器结构，其中所述第一导电层包括铌或铌与钼的合金，所述第二导电层包括钨，且所述第三导电层包括钼。

35.根据权利要求19所述的声谐振器结构，其中所述压电层包括Al_1‑xSc_xN。