[发明专利]一种去除金属硅中硼杂质的方法在审
| 申请号： | 201510146885.0 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104773736A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 刘立新 | 申请（专利权）人： | 杭州太能硅业有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 邱启旺 |
| 地址： | 311228 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种去除硅液中硼杂质的方法，该方法先向硅液中喷吹Ti或Zr颗粒；所述Ti与硅液的质量之比为0.1-5：100，Zr与硅液的质量之比为0.1-5：100。使Ti或Zr进入硅液熔体里面，充分与杂质硼反应生成TiB2或ZrB2，TiB2和ZrB2均比硅液密度大，在硅液中下沉，自然分离。熔液中剩余的Ti或Zr，通过加入SiO2和Na2O以质量比1:1组成的混合物，通过氧化反应去除。然后倒去硅液上的悬浮层，得到去除了硼杂质的硅液。该方法硼去除率高、操作简单易行，没有二次污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 金属硅 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种去除硅液中硼杂质的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）以300~400m/s的速度向硅液中喷吹Ti或Zr颗粒，颗粒粒径为0.01~10mm；所述Ti与硅液的质量比为0.1‑5：100；Zr与硅液的质量比为0.1‑5：100；（2）向步骤1处理后的硅液中加入SiO2和Na2O的混合物，硅液与混合物的质量比为10:1，其中SiO2和Na2O以质量比1：1；（3）倒去硅液上的悬浮层，得到去除了硼杂质的硅液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州太能硅业有限公司，未经杭州太能硅业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510146885.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种在刀具表面均匀沉积类金刚石薄膜的装置
- 下一篇：一种热镀锌熔锌装置
