[发明专利]一种具有无过冲特性的启动电路及带隙基准电路在审
| 申请号： | 201510146925.1 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106155172A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 葛亮宏;何天长;叶飞 | 申请（专利权）人： | 成都锐成芯微科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有无过冲特性的启动电路及带隙基准电路，其MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4的源极与电源电压VDD连接；MOS管M1的栅极与MOS管M2的栅极连接，组成第一电流镜像单元；MOS管M1的栅极与MOS管M3的栅极连接，组成第二电流镜像单元；MOS管M1的漏极分别与MOS管M1的栅极和MOS管M4的漏极连接，MOS管M4的栅极与反馈端口o1连接；MOS管M2的漏极与第一启动电流输出端口o2连接；MOS管M3的漏极与第二启动电流输出端口o3连接。本发明通过两路启动电流使受控电路偏离零电流启动状态，且两路启动电流逐渐增大，不会发生瞬变，使得受控电路不会发生过冲，在启动阶段稳定性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 无过 特性 启动 电路 基准 | ||
【主权项】：
一种具有无过冲特性的启动电路，其特征在于：它包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4；MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4的源极与电源电压VDD连接；MOS管M1的栅极与MOS管M2的栅极连接，组成第一电流镜像单元；MOS管M1的栅极与MOS管M3的栅极连接，组成第二电流镜像单元；MOS管M1的漏极分别与MOS管M1的栅极和MOS管M4的漏极连接，MOS管M4的栅极与反馈端口o1连接；MOS管M2的漏极与第一启动电流输出端口o2连接；MOS管M3的漏极与第二启动电流输出端口o3连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都锐成芯微科技有限责任公司，未经成都锐成芯微科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510146925.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带清洗装置的管模自动清盖机
- 下一篇：车位锁防撞安装方法
