[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510147264.4 申请日: 2015-03-31
公开(公告)号: CN106158775A 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 陈士弘 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/528;H01L21/50;H01L21/768
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种半导体封装结构及其制造方法。半导体封装结构包括一基板、一第一芯片、一第一介电层、一介电封装层及至少一第一导孔。第一芯片设置于基板上。第一芯片具有一第一着陆区。第一介电层设置于第一芯片上。介电封装层将第一芯片及第一介电层封装于其中。第一导孔贯穿介电封装层及第一介电层。第一导孔连接至第一芯片的第一着陆区。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体封装结构,包括:一基板;一第一芯片,设置于该基板上,该第一芯片具有一第一着陆区;一第一介电层,设置于该第一芯片上;一介电封装层,将该第一芯片及该第一介电层封装于其中;以及至少一第一导孔,贯穿该介电封装层及该第一介电层,该至少一第一导孔连接至该第一芯片的该第一着陆区。
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