[发明专利]存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510147320.4 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106158846B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 杨儒兴 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8229;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储元件及其制造方法。该存储元件包括基底、第一堆叠结构以及多个第二堆叠结构。基底具有第一区与第二区。第一堆叠结构位于第一区的基底上。第二堆叠结构位于第二区的基底上。第一堆叠结构的侧壁与第二堆叠结构的侧壁分别为凹凸表面。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储元件，其特征在于，包括：一基底，具有一第一区与一第二区；一第一堆叠结构，位于该第一区的该基底上，该第一堆叠结构包括：多个第一导体层以及多个第一介电层，其中该些第一导体层与该些第一介电层相互堆叠；以及多个第二堆叠结构，位于该第二区的该基底上，每一第二堆叠结构包括：多个第二导体层以及多个第二介电层，其中该些第二导体层与该些第二介电层相互堆叠，其中该第一堆叠结构的侧壁与该些第二堆叠结构的侧壁分别具有一凹凸表面；所述存储元件还包括一底介电结构，该底介电结构具有一主体部，邻近该第一堆叠结构的该主体部的顶面与远离该第一堆叠结构的该主体部的顶面之间的距离为![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
