[发明专利]一种四元LED芯片干法蚀刻方法在审
| 申请号： | 201510147537.5 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104810438A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 索志伟 | 申请（专利权）人： | 山西南烨立碁光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明一种四元LED芯片干法蚀刻方法，属于LED蚀刻技术领域；解决的技术问题是提供了一种四元LED芯片干法蚀刻方法，在偏压功率、电感耦合等离子体和蚀刻时间设定为特定值时调整气体流量,使被蚀刻产品的均匀度降低，提高产品质量；采用的技术方案为：一种四元LED芯片干法蚀刻方法，按照以下步骤进行：将偏压功率、电感耦合等离子体功率和蚀刻时间设定为特定值，气体流量设定为15±1sccm；将带有掩膜的待蚀刻材料放入反应腔内；将蚀刻完成的材料取出，置入化学溶液中去除掩膜；将材料放入测量仪，测试材料多个位置的蚀刻深度；本发明可广泛应用于蚀刻技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种四元LED芯片干法蚀刻方法，其特征在于：按照以下步骤进行：a、将偏压功率设定为300W，电感耦合等离子体功率设定为500W，蚀刻时间设定为130s，气体流量设定为15±1sccm；b、将带有掩膜的待蚀刻材料放入反应腔内；c、将蚀刻完成的材料取出，置入化学溶液中去除掩膜；d、将材料放入测量仪，测试材料多个位置的蚀刻深度。
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