[发明专利]非易失性存储器

摘要

本发明提供一种非易失性存储器，具有存储单元。存储单元具有堆叠结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、第一掺杂区以及第二掺杂区。堆叠结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠结构的第一侧的侧壁。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。第一掺杂区邻接浮置栅极、且第一掺杂区的一部分延伸至浮置栅极下方，第二掺杂区邻接堆叠结构的第二侧，第一侧与所述第二侧相对。本发明可以提高元件的积集度；以及低操作电压操作，增加半导体元件的可靠度。

主权项

1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：第一存储单元，设置于基底上，所述第一存储单元，包括：堆叠结构，包括依序设置于所述基底上的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极；浮置栅极，设置于所述堆叠结构的第一侧的侧壁，且所述浮置栅极的顶部具有转角部，所述转角部邻近所述抹除栅极，且所述转角部高度落于所述抹除栅极高度间；穿隧介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间；抹除栅介电层，设置于所述抹除栅极与所述浮置栅极之间，且所述抹除栅介电层的材质包括氧化硅；辅助栅介电层，设置于所述辅助栅极与所述浮置栅极之间，且所述辅助栅介电层的材质包括氧化硅和氮化硅的双叠层结构或氧化硅、氮化硅和氧化硅的三叠层结构；以及第一掺杂区与第二掺杂区，分别设置于所述堆叠结构与所述浮置栅极两侧的所述基底中，其中所述第一掺杂区邻接所述浮置栅极、且所述第一掺杂区的一部分延伸至所述浮置栅极下方，所述第二掺杂区邻接所述堆叠结构的第二侧，所述第一侧与所述第二侧相对，而且所述非易失性存储器不具有控制栅极。