[发明专利]一种基于镀钯铜线的LED封装工艺

摘要

本发明属于LED封装领域，特别是公开一种基于镀钯铜线的LED封装工艺；该封装工艺制作的LED晶片反光性能好，不吸光而且相对于传统的金线价格便宜；1）原物料准备；2）固晶生产；3）固晶胶烘烤；4）焊线：用镀钯铜线在焊线机上将LED晶片的正负极与LED支架的正负极电性连接，所述镀钯铜线中单晶铜线纯度≥99.99%，镀钯铜线表面覆0.1-0.2为μm厚度防氧化钯金属层，镀钯铜线的直径为0.9mil，LED晶片与合金线的键合参数：焊接功率 40-70mw，焊接压力70-120gms，焊接时间10-20ms，键合区温度160-180℃；5）点胶：利用胶水将已经固晶、焊线完成的半成品封装；6）烘烤。

主权项

一种基于镀钯铜线的LED封装工艺，其特征在于，按照以下步骤进行：1）原物料准备：采用超声波清洗LED支架，并烘干，然后将固晶胶水解冻；2）固晶生产：将LED晶片放置于涂有固晶胶的LED支架上；3）固晶胶烘烤：将LED支架送入烘烤站中进行固晶胶烘烤，使LED晶片固定于LED支架上；4）焊线：用镀钯铜线在焊线机上将LED晶片的正负极与LED支架的正负极电性连接，所述镀钯铜线中单晶铜线纯度≥99.99%，镀钯铜线表面覆0.1‑0.2为μm厚度防氧化钯金属层，镀钯铜线的直径为0.9mil，LED晶片与合金线的键合参数：焊接功率 40‑70mw，焊接压力70‑120gms，焊接时间10‑20ms，键合区温度160‑180℃；5）点胶：利用胶水将已经固晶、焊线完成的半成品封装；6）烘烤：让胶水冲锋固化，同时对LED晶片进行热 老化。