[发明专利]垂直晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510147785.X | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106158935B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 卡洛斯·H.·迪亚兹;王志豪;连万益;杨凯杰;汤皓玲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 垂直晶体管包括源极‑沟道‑漏极结构、栅极和栅极介电层。源极‑沟道‑漏极结构包括源极、源极上方的漏极和介于源极和漏极之间的沟道。栅极围绕沟道的一部分。当垂直晶体管是n沟道垂直晶体管时，栅极被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的压缩应变，或当垂直晶体管是p沟道垂直晶体管时，栅极被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的拉伸应变。在一些实施例中，垂直晶体管还包括ILD，当垂直晶体管是n沟道垂直晶体管时，ILD被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的拉伸应变，或者当垂直晶体管是p沟道垂直晶体管时，ILD被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的压缩应变。本发明还提供了垂直晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直晶体管，包括：源极‑沟道‑漏极结构，包括源极、位于所述源极上方的漏极和介于所述源极和所述漏极之间的沟道；栅极，围绕所述沟道的一部分，当所述垂直晶体管是n沟道垂直晶体管时，所述栅极被配置成提供沿着所述沟道的延伸方向的压缩应变，或当所述垂直晶体管是p沟道垂直晶体管时，所述栅极被配置成提供沿着所述沟道的所述延伸方向的拉伸应变；以及栅极介电层，介于所述沟道和所述栅极之间。
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