[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号： | 201510147942.7 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104952772B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 大田垣崇;林航之介 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种基板处理装置及基板处理方法，其能够抑制制造成本、装置成本的增加及成品率的降低，并且使处理液对基板的覆盖性提高。实施方式的基板处理装置(1)具备向基板(W)的被处理面吐出处理液的喷嘴(11)；具有环状的倾斜面(15)(去路弯曲面)的去路弯曲部(6c)，该倾斜面(15)使从该喷嘴(11)吐出的处理液将行进方向弯曲而向基板(W)的被处理面入射，且该倾斜面(15)的倾斜角度沿着其呈环状延伸的方向变化；以及作为使基板(W)的处理液对倾斜面(15)的入射位置在倾斜面(15)呈环状延伸的方向上移动的位置变更部而发挥功能的弯曲旋转机构(7b)或喷嘴旋转机构(7c)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，具备：喷嘴，向基板的被处理面吐出处理液；去路弯曲部，具有去路弯曲面，该去路弯曲面是使从上述喷嘴吐出的上述处理液将其行进方向弯曲而向上述被处理面入射的环状的倾斜面，该去路弯曲面的倾斜角度沿着其呈环状延伸的方向变化；以及位置变更部，使上述处理液对上述去路弯曲面的入射位置在上述去路弯曲面呈环状延伸的方向上移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
