[发明专利]一种双槽形结构的半浮栅器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种双槽形结构的半浮栅器件及其制造方法，包括位于半导体衬底中的有源区、场氧区；有源区内的轻掺杂区；第一槽形区域将有源区两侧分为轻掺杂漏区和轻掺杂源区，轻掺杂漏区形成具有浮栅开口的第一绝缘层，覆盖第一槽形区域和浮栅开口的浮栅；浮栅开口下方的扩散区；轻掺杂漏区中的第二槽形区域；覆盖前述结构的第二绝缘层及其上的控制栅，控制栅侧墙两侧的重掺杂源区和窄禁带重掺杂漏区。本发明结构采用双栅沟道，使得器件占用面积更小、集成度更高；漏极的窄禁带材料，带间隧穿发生率更大，提高了半浮栅器件的读写速度。

主权项

一种双槽形结构的半浮栅器件，其特征在于，其包括：具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底内形成的用于器件隔离的场氧区，场氧区之间形成有源区；在所述半导体衬底有源区内形成的具有第二种掺杂类型的轻掺杂源区、轻掺杂漏区；在所述轻掺杂源区和轻掺杂漏区之间形成的第一槽形区域，用于形成槽形沟道，所述第一槽形区域的深度大于所述轻掺杂源区、轻掺杂漏区的深度；覆盖所述轻掺杂源区、轻掺杂漏区和槽形沟道形成的第一绝缘层；在所述轻掺杂漏区上方靠近槽形沟道的第一绝缘层处形成的浮栅开口；覆盖所述第一绝缘层和浮栅开口形成的第一种掺杂类型的浮栅；在所述浮栅开口下方的轻掺杂漏区中形成的具有第一种掺杂类型的扩散区；在未被所述浮栅覆盖的轻掺杂漏区内形成的第二槽形区域，所述第二槽形区域的深度小于所述轻掺杂漏区深度；覆盖所述轻掺杂源区、轻掺杂漏区、浮栅与第二槽形区域表面形成的第二绝缘层；覆盖所述第二绝缘层形成的第二种掺杂类型的控制栅及其两侧的侧墙；在所述控制栅两侧的轻掺杂源区和轻掺杂漏区内形成的重掺杂源区和重掺杂漏区，所述重掺杂漏区为窄禁带材料，所述第二槽形区域位于所述扩散区和重掺杂漏区之间；以及所述重掺杂源区、重掺杂漏区、控制栅和半导体衬底的引出极。