[发明专利]离子注入方法以及离子注入装置

摘要

本发明提供一种控制离子照射量分布及每单位时间的离子照射量这二者的技术。离子注入装置(10)具备射束扫描器(26)；射束测量部，能够测定晶片位置上的射束扫描方向的离子照射量分布；及控制部(60)，将用于往复扫描离子束的控制波形输出到射束扫描器(26)。控制部(60)包括输出部，将基准控制波形输出到射束扫描器(26)；获取部，从射束测量部(50)获取对根据基准控制波形进行往复扫描的离子束而测定出的离子照射量分布；及生成部，利用所获取的离子照射量分布生成补正控制波形。控制部(60)输出被调整为离子照射量分布为目标分布且每单位时间的离子照射量分布为目标值的补正控制波形。

主权项

一种离子注入方法，该方法中往复扫描离子束，并向与射束扫描方向正交的方向使晶片往复运动，从而向晶片注入离子，所述离子注入方法的特征在于，具备如下工序：将基准控制波形输出到射束扫描器，从而往复扫描离子束；测定根据所述基准控制波形进行往复扫描的离子束在所述射束扫描方向的离子照射量分布；利用所述测定出的离子照射量分布生成补正控制波形；及将已生成的所述补正控制波形输出到射束扫描器，并将根据所述补正控制波形进行往复扫描的离子束照射到晶片，所述基准控制波形是，将表示晶片位置上的所述射束扫描方向的各射束位置的时间变化值的扫描速度分布设为第1扫描速度分布、并且将扫描周期设为第1扫描周期来往复扫描离子束的控制波形，所述离子照射量分布表示以规定次数往复扫描离子束时，在所述晶片位置上的所述射束扫描方向的各射束位置上被累计照射的离子照射量的分布，所述补正控制波形是，将所述扫描速度分布设为第2扫描速度分布、并且将扫描周期设为第2扫描周期来往复扫描离子束的控制波形，所述第2扫描速度分布是用于往复扫描离子束以使所述离子照射量分布成为目标分布的扫描速度分布，所述第2扫描周期是被调整为，被以所述第2扫描速度分布往复扫描的离子束照射的每单位时间的离子照射量分布成为目标值的扫描周期，生成所述补正控制波形的工序包括：利用所述第1扫描速度分布及所述测定出的离子照射量分布，计算所述第2扫描速度分布；及利用所述计算出的第2扫描速度分布，计算所述第2扫描周期。