[发明专利]切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510148818.2 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104946152B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 木村雄大;三隅贞仁;村田修平;大西谦司;宍户雄一郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/29 | 分类号： | C09J7/29;C09J7/30;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供利用低温下的扩展也能引发半导体晶圆、芯片接合薄膜的断裂的切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。一种切割薄膜，其具备基材和设置于该基材上的粘合剂层，由MD方向和TD方向各自在0℃下负荷拉伸应力时的应力‑应变曲线求出的MD方向的储能模量设为E’ |
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| 搜索关键词： | 切割 薄膜 芯片 接合 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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