[发明专利]晶圆三维集成的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆三维集成的方法。通过本发明的方法能够将包含不同工艺、不同功能的芯片的晶圆集成在一个晶圆级异质三维结构上，在保持了芯片体积的同时，大规模提高芯片的功能，大幅度缩短了每个功能芯片之间的金属互连，减小了发热、功耗、与延迟，提高了每个功能模块之间的带宽，适用于芯片需要较厚的保护层的工艺条件。

主权项

1.一种晶圆三维集成的方法，其特征在于，包括：提供一设置有互连区域和引线区域的键合晶圆，所述键合晶圆中设置有金属连线结构和金属层，所述金属连线结构将相互绝缘的金属层予以电连接，且所述金属连线结构的部分表面暴露于所述键合晶圆的上表面；所述互连区域至少包含一个所述金属连线结构，所述引线区域至少包含两个所述金属连线结构；于所述键合晶圆上制备一第一保护层，所述第一保护层覆盖所述金属连线结构暴露的表面；去除部分所述第一保护层，以将位于所述引线区域中的所述金属连线结构的表面予以暴露；制备金属引线将位于所述引线区域中相邻的所述金属连线结构予以电连接。