[发明专利]一种具有高电源抑制比特性的带隙基准电路在审
| 申请号： | 201510148946.7 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106155152A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 葛亮宏;何天长;叶飞 | 申请（专利权）人： | 成都锐成芯微科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有高电源抑制比特性的带隙基准电路，它包括带隙基准核心电路、基准电压产生电路和泄放通道；带隙基准核心电路、基准电压产生电路和泄放通道的直流电输入端与直流电源VDD连接，带隙基准核心电路的第一输出端与基准电压产生电路的控制输入端连接，带隙基准核心电路的第二输出端与泄放通道的控制输入端连接，基准电压产生电路的第一输出端输出基准电压VREF，基准电压产生电路的第二输出端、泄放通道的输出端和带隙基准核心电路的第三输出端均与地对接。本发明有效减少直流电源VDD对带隙基准核心电路及其各支路之间的干扰，增大直流电源VDD和带隙基准核心电路之间的阻值，增强电源抑制比和电路稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电源 抑制 特性 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种具有高电源抑制比特性的带隙基准电路，其特征在于：它包括带隙基准核心电路、基准电压产生电路和泄放通道；带隙基准核心电路、基准电压产生电路和泄放通道的直流电输入端与直流电源VDD连接，带隙基准核心电路的第一输出端与基准电压产生电路的控制输入端连接，带隙基准核心电路的第二输出端与泄放通道的控制输入端连接，基准电压产生电路的第一输出端输出基准电压VREF，基准电压产生电路的第二输出端、泄放通道的输出端和带隙基准核心电路的第三输出端均与地对接；所述的泄放通道用于减少直流电源VDD对带隙基准核心电路及其各支路的直流电输入端电压Vd的干扰，提高电源抑制比，使得带隙基准核心电路的第二输出端口的电压不会随外界条件的改变而变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都锐成芯微科技有限责任公司，未经成都锐成芯微科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510148946.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
