[发明专利]一种激光退火装置及其退火方法有效
申请号: | 201510149021.4 | 申请日: | 2015-03-31 |
公开(公告)号: | CN106158609B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 王成才;兰艳平;徐建旭 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种激光退火装置及其退火方法,该退火装置包括第一退火光路系统、第二退火光路系统和合束光路系统,第一退火光路系统包括可见激光光源、与可见激光光源对应的可见激光光路系统和第一能量监测单元;第二退火光路系统包括近红外激光光源、与近红外激光光源对应的近红外激光光路系统、第二能量监测单元和能量调节单元;近红外激光光路系统包括近红外激光光源位置调节单元;合束光路系统设于可见激光光路系统和近红外激光光路系统之后,工件台之前。本发明通过能量调节单元和近红外激光光源位置调节单元分别对两束退火光斑的相对尺寸和位置进行调整以控制退火的驻留时间和退火温度,达到硅片不同位置的退火需求,提高了系统的退火性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 退火 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种退火方法,应用于激光退火装置中,所述激光退火装置包括第一退火光路系统、第二退火光路系统和合束光路系统,其中所述第一退火光路系统包括可见激光光源、与所述可见激光光源对应的可见激光光路系统和第一能量监测单元;所述第二退火光路系统包括近红外激光光源、与所述近红外激光光源对应的近红外激光光路系统、第二能量监测单元和能量调节单元;所述近红外激光光路系统包括近红外激光光源位置调节单元;所述合束光路系统设于所述可见激光光路系统和近红外激光光路系统之后,工件台之前,其特征在于,包括以下步骤:S1:确定所述工件台上硅片不同位置的退火参数;S2:所述可见激光光源输出可见激光,并通过所述可见激光光路系统之后形成第一束退火光斑;同时所述近红外激光光源输出近红外激光,并通过所述近红外激光光路系统之后形成第二束退火光斑;所述第一束退火光斑与第二束退火光斑经过合束光路系统之后照射到工件台上;S3:根据S1中获得的硅片不同位置的退火深度参数和工件台的转速,利用所述近红外激光光源位置调节单元对所述近红外激光光源的位置进行调节;S4:第一能量监测单元和第二能量监测单元分别实时监测所述可见激光和近红外激光的能量;S5:根据S1中获得的硅片不同位置的退火深度参数和工件台的转速,使用能量调节单元实时调节近红外激光光源的光斑大小,实现对硅片的退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造